特許

J-GLOBAL ID：200903004299774903

薄膜トランジスタ

発明者： 井窪 克昌 ,  田仲 広久 ,  三谷 康弘 ,  森本 弘
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255525
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095002
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにおいてリーク電流の発生を抑制して特性を良好にする。【構成】 半導体層4の上に形成されたチャネル保護膜5に、半導体層4とソース電極7及びドレイン電極8とのコンタクトを図るコンタクトホール5aと5bが形成されている。このため、コンタクトホール5a、5bを介して半導体層4に不純物が注入され、コンタクトホール5a、5bの下の半導体層4部分にのみコンタクト部6a、6bが形成され、半導体層4のコンタクト部6a、6b以外の部分はチャネル保護膜5で覆われることになる。したがって、ソース電極7及びドレイン電極8は、半導体層4のイオン注入されていない部分に対して、間に絶縁性のチャネル保護膜5が介在するため接触しない。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート電極、第1絶縁膜及び半導体層が、この順に、かつ、ゲート電極と半導体層とが第1絶縁膜にて絶縁されて積層形成され、更に該半導体層の上にソース電極とドレイン電極とが、横に並んで、かつ半導体層との間に第2絶縁膜を介在させて形成されていると共に、ソース電極及びドレイン電極がそれぞれ該第2絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体層にコンタクトされ、該半導体層のソース電極とのコンタクト部及び該ドレイン電極とのコンタクト部に不純物が注入されている薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-150478
  
• 特開昭61-089670
  
• 特開昭59-141271
  
• 特開昭63-157476