特許

J-GLOBAL ID：200903004300446990

薄膜太陽電池アレイ・システムおよびその製造方法

発明者： ルードマン,ラルフ
出願人/特許権者： フラウンホファー ゲセルシャフトツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ.
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-587388
公開番号（公開出願番号）：特表2002-532888
出願日： 1999年11月23日
公開日（公表日）： 2002年10月02日
要約：

【要約】本発明は、薄膜太陽電池アレイ・システムおよびその製造方法に関する。太陽電池層(1)が平坦な構造のキャリア基板(2)上に形成され、少なくとも1つのn型導電性半導体層領域(エミッター)(1a)と、少なくとも1つのp型導電性半導体層領域(ベース)(1b)と、更に、これらエミッター(1a)およびベース(1b)にそれぞれ電気的に接続された電気的極性の異なる第1の接触電極(3a)および第2の接触電極(3b)とを具備してなり;該第1の接触電極(3a)が該キャリア基板(2)上に直接設けられ、又は電気絶縁層(4)により分離され、その上に他の電気絶縁層(5)が設けられ、該他の電気絶縁層(5)上に該太陽電池層(1)が配置され;少なくとも1つの接触チャンネル(6a)が該絶縁層(5)および/又は該太陽電池層(1)を貫通して延びていて、第1の接触電極(3a)および、該太陽電池層(1)内のそれぞれの極性の半導体層領域(1a)が、該接触チャンネル(6a)内に導入された導電性材料(7)により電気的に接続されており;該第2の接触電極(3b)が該第1の接触電極(3a)から離れた位置で該キャリア基板(2)上に直接設けられ、又は電気絶縁層(4)により分離され、かつ、該絶縁層(5)および該太陽電池層(1)の下方に設けられ;少なくとも1つの接触チャンネル(6b)が該絶縁層(5)および/又は該太陽電池層(1)を貫通して延びていて、第2の接触電極(3b)および、該太陽電池層(1)内のそれぞれの極性の半導体層領域(1b)が、該接触チャンネル(6b)内に導入された導電性材料(7)により電気的に接続されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

太陽電池層(1)が平坦な構造のキャリア基板(2)上に形成され、少なくとも1つのn型導電性半導体層領域(エミッター)(1a)と、少なくとも1つのp型導電性半導体層領域(ベース)(1b)と、更に、これらエミッター(1a)およびベース(1b)にそれぞれ電気的に接続された電気的極性の異なる第1の接触電極(3a)および第2の接触電極(3b)とを具備してなり; 該第1の接触電極(3a)が該キャリア基板(2)上に直接設けられ、又は電気絶縁層(4)により分離され、その上に他の電気絶縁層(5)が設けられ、該他の電気絶縁層(5)上に該太陽電池層(1)が配置され; 少なくとも1つの接触チャンネル(6a)が該絶縁層(5)および/又は該太陽電池層(1)を貫通して延びていて、第1の接触電極(3a)および、該太陽電池層(1)内のそれぞれの極性の半導体層領域(1a)が、該接触チャンネル(6a)内に導入された導電性材料(7)により電気的に接続されており; 該第2の接触電極(3b)が該第1の接触電極(3a)から離れた位置で該キャリア基板(2)上に直接設けられ、又は電気絶縁層(4)により分離され、かつ、該絶縁層(5)および該太陽電池層(1)の下方に設けられ; 少なくとも1つの接触チャンネル(6b)が該絶縁層(5)および/又は該太陽電池層(1)を貫通して延びていて、第2の接触電極(3b)および、該太陽電池層(1)内のそれぞれの極性の半導体層領域(1b)が、該接触チャンネル(6b)内に導入された導電性材料(7)により電気的に接続されていることを特徴とする薄膜太陽電池アレイ・システム。

FI (2件)：

H01L 31/04 S ,  H01L 31/04 M

Fターム (5件)：

5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051EA02 ,  5F051EA20 ,  5F051FA17