特許

J-GLOBAL ID：200903004300564349

高純度チタンインゴットの製造方法

発明者： 大西 隆 ,  吉村 泰徳 ,  白石 博章
出願人/特許権者： 株式会社住友シチックス尼崎
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004687
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204422
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】半導体配線材料に用いられる低酸素の高純度チタン材を高い生産性で製造することができる。【解決手段】(1) アイオダイド法によって作製された円筒状の析出チタン材の内部に、スポンジチタンをプレス成形したコンパクトを溶接した内部電極を挿入して消耗電極とし、この消耗電極を真空アーク溶解することを特徴とする高純度チタンインゴットの製造方法。(2) 同様に、チタンスクラップまたはチタンクロップを溶接した内部電極を挿入して消耗電極とし、この消耗電極を真空アーク溶解することを特徴とする高純度チタンインゴットの製造方法。上記において、円筒状の析出チタン材の酸素濃度を、その内部に挿入する内部電極の酸素濃度より低くするのが望ましい。さらに、上記円筒状の析出チタン材とその内部に挿入する内部電極とに、固定部分を設けるのが望ましい。

請求項（抜粋）：

アイオダイド法によって作製された円筒状の析出チタン材の内部に、スポンジチタンをプレス成形したコンパクトを溶接した内部電極を挿入して消耗電極とし、この消耗電極を真空アーク溶解することを特徴とする高純度チタンインゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C22B 9/20 ,  C22B 34/12 103

FI (2件)：

C22B 9/20 ,  C22B 34/12 103

Fターム (4件)：

4K001AA27 ,  4K001BA23 ,  4K001FA11 ,  4K001GA16