特許
J-GLOBAL ID：200903004302910627
発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259508
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 AlGaInP系可視光発光素子における多層反射膜の反射率を高くし、高反射率の波長帯域を広げ、しかも、低抵抗のp型多層反射膜を可能にする。【構成】 活性層6の下方に半導体多層反射膜4を形成する。多層反射膜4は、多層の高屈折率膜11と低屈折率膜12を交互に積層したブラッグ反射鏡となっており、高屈折率膜11はn-(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)As(0≦y<1)からなり、低屈折率膜12はn-(Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>)As(0≦y<z≦1)からなる。また、高屈折率膜11の屈折率をn<SB>high</SB>、低屈折率膜12の屈折率をn<SB>low</SB>、活性層6で発生する光の発光波長をλとするとき、高屈折率膜11及び低屈折率膜12の厚さをそれぞれλ/(4n<SB>high</SB>)、λ/(4n<SB>low</SB>)とする。
請求項（抜粋）：
活性層がAlGaInP系の材料からなり、高屈折率膜と低屈折率膜を交互に積層して多層反射膜を形成された発光素子において、前記高屈折率膜がAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<1)によって形成され、前記低屈折率膜がAl<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As(0<z≦1)によって形成されていることを特徴とする発光素子。
引用特許：
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