特許

J-GLOBAL ID：200903004303288695

半導体集積回路装置

発明者： 市川 仁子 ,  常野 克己 ,  増田 弘生 ,  佐藤 久子 ,  中村 高秀 ,  国友 久彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201226
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064677
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 多層配線を有する半導体集積回路装置において、高集積化、高速化および高信頼度化を実現し、さらに、チップシュリンクの開発時間の短縮を図る。【構成】 半導体基板1上に平坦化された低誘電率の層間絶縁膜2を形成した後、低抵抗の金属膜を堆積し、加工して幅0.8μm 以上、厚さ0.3〜1.0μm で配線幅と配線間隔が等しいピッチ配線の第1配線3を形成する。次に、第1配線3上に平坦化された低誘電率の層間絶縁膜4を形成した後、第1配線3と同様に、層間絶縁膜4上に幅0.8μm 以上、厚さ0.3〜1.0μm で、層間絶縁膜4を介して第1配線3と直交するように、ピッチ配線の第2配線5を形成する。

請求項（抜粋）：

配線を有する半導体集積回路装置であって、半導体基板上に設定した前記配線が幅0.8μm 以上、厚さ0.3〜1.0μm で構成され、配線幅と配線間隔が等しく、等間隔で配置されたピッチ配線であることを特徴とする半導体集積回路装置。