特許
J-GLOBAL ID：200903004305533697
IC素子の修正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244179
出願日： 1983年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】IC素子の修正方法を提供する。【構成】液体金属イオン源210から放射される高輝度イオンビームの内、エネルギー密度の高い中央部付近を取出し、この取出された高輝度イオンビームを荷電粒子光学系201〜209により集束させると共に寸法変更可能なアパーチア204〜207を通過させて絞ったイオンビームスポット径にして、IC素子の局所成膜しようとする個所付近の保護膜表面の観察領域に投影して偏向電極75、76を制御して走査させて照射し、該走査して照射された保護膜表面の観察領域から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒子検出器86で検出して前記偏向電極75、76を制御する偏向信号を受けて走査イオン顕微鏡97に前記観察領域の拡大SIM画像を表示して拡大観察し投影されるアパーチア204〜207の形状を合わせて前記荷電粒子光学系により集束投影されたイオンビームにより加工する。
請求項（抜粋）：
液体金属イオン源から放射される高輝度イオンビームの内、エネルギー密度の高い中央部付近を取出し、この取出された高輝度イオンビームを荷電粒子光学系により集束させると共に寸法変更可能なアパーチアを通過させて絞ったイオンビームスポット径にして、IC素子の局所成膜しようとする個所付近の保護膜表面の観察領域に投影して偏向電極を制御して走査させて照射し、該走査して照射された保護膜表面の観察領域から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒子検出器で検出して前記偏向電極を制御する偏向信号を受けて走査イオン顕微鏡に前記観察領域の拡大SIM画像を表示して拡大観察し、前記拡大観察された拡大SIM画像に基づいて投影されるアパーチアの形状を合わせて前記荷電粒子光学系により集束投影されたイオンビームにより加工することを特徴とするIC素子の修正方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, G01R 31/28
, H01L 21/302
, H01L 27/04
H01L 21/88 B
, G01R 31/28 Z
