特許
J-GLOBAL ID：200903004310080544
ボロンドープ・シリコン-ゲルマニウム混晶の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189459
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 ボロンがドーピングされてなるシリコン-ゲルマニウム混晶として、ゲルマニウムのプロファイルに関係なく一定のボロン濃度を有した、ボロンドープ・シリコン-ゲルマニウム混晶を形成することのできる方法の提供が望まれている。【解決手段】 シリコン-ゲルマニウム混晶を気相成長させると同時に、これにボロンをドーピングしてボロンドープ・シリコン-ゲルマニウム混晶を形成する方法である。シリコン-ゲルマニウム混晶を気相成長させる際に、ゲルマニウム原料である水素化ゲルマニウムガスの供給量を所望する度合いに変化させ、かつ、ボロンのドープ源となるジボランガスの供給量を、水素化ゲルマニウムガスの供給量の変化に対応させて変化させる。
請求項（抜粋）：
シリコン-ゲルマニウム混晶を気相成長させると同時に、これにボロンをドーピングしてボロンドープ・シリコン-ゲルマニウム混晶を形成する方法であって、シリコン-ゲルマニウム混晶を気相成長させる際に、ゲルマニウム原料である水素化ゲルマニウムガスの供給量を所望する度合いに変化させ、かつ、ボロンのドープ源となるジボランガスの供給量を、前記水素化ゲルマニウムガスの供給量の変化に対応させて変化させることを特徴とするボロンドープ・シリコン-ゲルマニウム混晶の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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