特許
J-GLOBAL ID：200903004311069285

MOSトランジスタの製造方法

発明者：
斎藤 一成

斎藤 一成 について

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安岡 秀記

安岡 秀記 について

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纐纈 政巳

纐纈 政巳 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235755
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068385
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】MOSトランジスタの製造に要するホトマスクの数を削減し、かつイオン打ち込み回数も削減して製造工程数を低減してコスト低減を図る。【解決手段】半導体基板SUBの上層に厚みの異なる酸化膜INSを被覆し、一回のイオン打ち込みでこの酸化膜INSの厚みの違いにより不純物濃度の異なるアクティブ領域とフィールド領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオン打ち込みにより不純物濃度の異なるウエル領域を形成する工程を含むMOSトランジスタの製造方法において、前記半導体基板の上層に厚みの異なる酸化膜を被覆し、一回のイオン打ち込みで前記酸化膜の厚みの違いにより不純物濃度の異なる領域を形成することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265
FI (4件)：
H01L 27/08 102 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 604 X
Fターム (21件)：
2H092JA22 ,  2H092JA28 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092MA06 ,  2H092MA14 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BC06 ,  5F048BE01 ,  5F048BE05 ,  5F048BE06 ,  5F048BG12 ,  5F048BH07 ,  5F048DA10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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