特許
J-GLOBAL ID:200903004311536622
誘導マイクロコンポーネントを組み込んだ電子コンポーネントの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-351667
公開番号(公開出願番号):特開2003-234414
出願日: 2002年12月03日
公開日(公表日): 2003年08月22日
要約:
【要約】【課題】 本発明は基板上に配置された誘導マイクロコンポーネントの組み込まれた電子コンポーネントの製造方法に関する。【解決手段】 コンポーネントは、比誘電率の小さい第1の物質層(10)が基板(1)の上面に位置する、比誘電率の小さい物質層及びハードマスク層からなる少なくとも一つの積層;比誘電率の小さい連続した物質層(10,10a)上に形成された数多くの金属屈曲部(39);金属屈曲部(39)の低位面及び側面に存在する銅拡散バリア層(35);を備える。また、基板(1)は、集積回路を形成する半導体基板、ガラス又は石英タイプのアモルファス基板であり、基板(1)上に堆積した比誘電率の小さい物質は、ベンゾシクロブテンであることが好ましい。
請求項(抜粋):
基板(1)上に配置されかつ少なくとも一つの金属接点(4)を介して前記基板に接続された誘導マイクロコンポーネントを組み込んだ電子コンポーネントを製造する方法であって、a)比誘電率の小さい物質から成る物質層(10,10a)及びハードマスクを形成するハードマスク層(12,12a)の少なくとも一つから成る積層を前記基板上に堆積させるステップ;b)前記金属接点(4)の垂直上方に該金属接点と整列配置されるよう前記ハードマスク層(12a)内に開口部(13)を形成するステップ;c)ヴィア(14)を形成するために、前記金属接点(4)に向かって、比誘電率の小さい一つ又は複数の前記物質層(10,10a)と、そのすぐ下にある一つ又は複数の前記ハードマスク層とをエッチングするステップ;d)銅拡散バリアを形成する銅拡散バリア層(15)を堆積させるステップ;e)銅の開始層(16)を堆積させるステップ;f)前記ヴィアを充填しかつ前記開始層(16)を覆う銅の層(32)を電気分解により堆積させるステップ;g)上方に位置した前記ハードマスク層(12a)が露出するまで、前記上面を平坦化するステップ;h)比誘電率の小さい物質から形成された上部樹脂層(25)を堆積させるステップ;i)前記誘導マイクロコンポーネント及び適宜設けられる他の伝導構造の屈曲部の形状を規定する前記チャネル(28,29)を形成するために、前記上部樹脂層(25)をエッチングするステップ;j)銅拡散バリア層(35)を堆積させるステップ;k)銅の開始層(36)を堆積させるステップ;l)このようにエッチングされた前記チャネル(28,29)の少なくとも上部で、電気分解によって銅(32)を堆積させるステップ;及びm)前記上部樹脂層(25)が除去されるまで平坦化するステップ;を連続的に備えることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01L 21/822
, H01F 17/00
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
FI (4件):
H01F 17/00 A
, H01L 27/04 L
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
Fターム (71件):
5E070AA01
, 5E070AA11
, 5E070AB02
, 5E070CB12
, 5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH21
, 5F033HH23
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ20
, 5F033JJ21
, 5F033JJ23
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ12
, 5F033QQ19
, 5F033QQ27
, 5F033QQ28
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033QQ91
, 5F033QQ93
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033SS15
, 5F033VV08
, 5F033WW00
, 5F033WW02
, 5F033XX14
, 5F038AZ04
, 5F038CD18
, 5F038CD20
, 5F038EZ11
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
引用特許:
前のページに戻る