特許
J-GLOBAL ID：200903004313451233
アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250207
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法に係わり、特にその薄膜トランジスタのゲート電極の形成方法において、ゲート電極が表面の突起や凹凸などの表面欠陥等のいわゆるヒロック抑止膜として機能する製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、第1のゲート電極をパターン形成した後、不活性ガスによるプラズマ処理を施して第1のゲート電極の表面形状を全く損なうことなく清浄なままで成膜処理し、第2のゲート電極を形成することにより、第2のゲート電極と下地基板の密着性を向上させることが出来、膜剥がれもなく、表示特性の劣化も防止でき、歩留まりの高いアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法とすることが出来る。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース及びドレイン電極からなる薄膜トランジスタを複数本の走査電極線と信号電極線の交点付近に配置してマトリクス状に形成する工程と、前記各々の薄膜トランジスタに透明導電膜からなる画素電極を接続する工程とを少なくとも備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記ゲート電極は第1のゲート電極上に第2のゲート電極を積層した少なくとも2層からなり、前記ゲート電極を形成する工程は第1のゲート電極を形成する工程と、不活性ガスによるプラズマ処理工程と、第2のゲート電極を形成する工程からなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 550
, G02F 1/1343
, H01L 29/784
