特許

J-GLOBAL ID：200903004313994199

半導体素子搭載基板及びその製造方法。

発明者： 米田 吉弘 ,  小林 和好 ,  元吉 仁志 ,  花村 賢一郎 ,  高安 光之 ,  米村 均 ,  堀 智充 ,  安藤 尚 ,  谷口 正人
出願人/特許権者： ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社
代理人 (2件)： 木森 有平 ,  浅野 典子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-006454
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172176
出願日： 2007年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】 半導体素子を実装する配線基板に形成された導体と放熱基板との間に介在する接着剤層の厚みを平坦な面で薄くしながら空隙をなくすことで、半導体素子の発熱を抑える半導体素子搭載基板及び半導体素子搭載基板の製造方法を提供する。【解決手段】 配線電極eh,dhが形成され半導体素子Cが実装されることとなる配線基板1と、この配線基板1と接着剤Epを介して接着される放熱基板Bとを備え、上記配線基板1に接着剤Epを逃がすためのスリットsが形成される。【選択図】 図1

請求項１：

配線電極が形成され半導体素子が実装されることとなる配線基板と、この配線基板と接着剤を介して接着される放熱基板とを備え、上記配線基板に接着剤を逃がすためのスリットが形成されていることを特徴とする半導体素子搭載基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L23/12 J ,  H01L23/36 C

Fターム (10件)：

5F136BB02 ,  5F136BB03 ,  5F136BB11 ,  5F136DA13 ,  5F136DA33 ,  5F136EA25 ,  5F136EA29 ,  5F136FA02 ,  5F136FA16 ,  5F136GA28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-322628   出願人：株式会社東芝
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-019260   出願人：松下電工株式会社