特許

J-GLOBAL ID：200903004317184213

半導体素子及び高周波電力増幅装置

発明者： 鈴木 將司 ,  田部井 慎 ,  二本木 恭隆 ,  曽我 高志
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-196991
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039320
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】半導体素子の小型化及び低コスト化を図る【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第1の増幅系及び第2の増幅系の初段増幅器及び次段増幅器を構成するトランジスタを有する半導体素子であって、前記半導体基板の一部領域には、前記第1の増幅系の初段増幅器及び前記第2の増幅系の次段増幅器を構成する第1,第2及び第3のトランジスタと、入力される切り換え信号によって前記3個のトランジスタから所定の2個のトランジスタを選択するスイッチ素子とを有し、前記スイッチ素子の切り換えによって、前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタで前記第1の増幅系の初段増幅器を構成、または前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタで前記第2の増幅系の次段増幅器を構成することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に形成され、第1の増幅系及び第2の増幅系の初段増幅器及び次段増幅器を構成するトランジスタを有する半導体素子であって、 前記半導体基板の一部領域には、 前記第1の増幅系の初段増幅器及び前記第2の増幅系の次段増幅器を構成する第1,第2及び第3のトランジスタと、 入力される切り換え信号によって前記3個のトランジスタから所定の2個のトランジスタを選択するスイッチ素子とを有し、 前記スイッチ素子の切り換えによって、前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタで前記第1の増幅系の初段増幅器を構成、または前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタで前記第2の増幅系の次段増幅器を構成することを特徴とする半導体素子。

IPC (8件)：

H03F3/24 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H03F3/21 ,  H03F3/68

FI (6件)：

H03F3/24 ,  H03F3/21 ,  H03F3/68 Z ,  H01L27/08 102A ,  H01L21/82 D ,  H01L27/04 M

Fターム (41件)：

5F038DF12 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA06 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BF18 ,  5F048BH01 ,  5F048BH04 ,  5F048CC04 ,  5F048CC06 ,  5F064BB22 ,  5F064CC10 ,  5F064DD19 ,  5F064FF01 ,  5F064FF04 ,  5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AA51 ,  5J500AC87 ,  5J500AC92 ,  5J500AF18 ,  5J500AH10 ,  5J500AH39 ,  5J500AK29 ,  5J500AK66 ,  5J500AM08 ,  5J500AQ02 ,  5J500AQ04 ,  5J500AS14