高分子膜およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：久保山隆 , 中山亨 , 榎本雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215394
公開番号（公開出願番号）：特開2006-037131
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】より低い誘電率の膜を形成しうる高分子膜の製造方法および低誘電率の高分子膜を提供すること。【解決手段】気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも2種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含む高分子膜の製造方法。該製造方法により得られる高分子膜。【選択図】なし

請求項１：

気相成長法によって成膜する高分子膜の製造方法であって、少なくとも2種の有機モノマーを原料とし、それらの有機モノマーに基づく構造を骨格とした共重合高分子膜を基板表面上に形成する工程と、その後、該共重合高分子膜を形成させた温度よりも高い温度で、該共重合高分子膜を熱処理する工程を含む高分子膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/12 , H01L 21/312

FI (2件)：

C23C14/12 , H01L21/312 A

Fターム (13件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA62 , 4K029BC00 , 4K029BD01 , 4K029CA12 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AD09 , 5F058AF02 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (7件)

高分子膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-170016 出願人：日本電気株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社
低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-101085 出願人：日本真空技術株式会社
共重合高分子膜及びその形成方法、共重合高分子膜を用いた半導体装置ならびに高分子膜成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-223960 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (6件)

低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-101085 出願人：日本真空技術株式会社
共重合高分子膜及びその形成方法、共重合高分子膜を用いた半導体装置ならびに高分子膜成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-223960 出願人：日本電気株式会社
層間絶縁膜、その形成方法及び重合体組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-229013 出願人：松下電器産業株式会社

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