特許

J-GLOBAL ID：200903004326289109

半導体装置

発明者： 奥野山 輝
出願人/特許権者： 東芝ケミカル株式会社
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180147
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002915
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、(A)ジアミノ基含有シロキサンオリゴマーと無水マレイン酸とから誘導されるビスマレイミド、(B)1,2-ポリブタジエンの側鎖を酸化して得られるエポキシ化物および(C)導電性粉末を必須成分としてなる導電性ペーストを使用して、半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする半導体装置である。【効果】 本発明の半導体装置は、耐湿性、耐加水分解性、接着性、耐熱性に優れ、ボイドの発生、アルミニウム電極の腐食による断線不良やチップの反りが少なく、半導体チップの大型化に対応した信頼性の高いものである。

請求項（抜粋）：

(A)一般式化1で示されるジアミノシロキサンから誘導されるビスマレイミド、【化1】(但し、式中R1 及びR2 は2 価の炭化水素基を、R3 及びR4 は1 価の炭化水素基を示し、R1 とR2 、R3 とR4 は、互いに同一でも異なってもよく、nは1〜5 の整数を表す)(B)構造式化2で示される1,2-ポリブタジエンのエポキシ化物および【化2】(C)導電性粉末を必須成分とする導電性ペーストを使用して、半導体チップとリードフレームとを接着固定してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01B 1/22 ,  C08G 59/34 NHV ,  C08G 59/40 NKG ,  C09J163/00 JFL ,  C09J163/00 JFM ,  H01L 21/52