特許
J-GLOBAL ID:200903004330653460
複合体詳しくはナノ多孔質体の製造方法およびその製造方法で製造されるナノ多孔質体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安達 光雄 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-513364
公開番号(公開出願番号):特表平11-511434
出願日: 1996年09月27日
公開日(公表日): 1999年10月05日
要約:
【要約】本発明は、ナノダイヤモンドを含有しかつ所望の形態を有するナノ多孔質体の製造方法であって;所望の形態を有する中間体を、最大粒径が10nmのナノダイヤモンド粒子で製造し、その中間体を、気体の1種の炭化水素または複数種の炭化水素の混合物に、これら1種または複数種の炭化水素混合物の分解温度を超える温度で暴露させるステップを含んでなる製造方法に関する。本発明に従って、多孔度が50〜80容量%の中間体が製造され、次いで1種の炭化水素または複数種の炭化水素による熱処理中に前記中間体の質量は多くても50%しか増大させない。また、本発明は、前記方法で製造されるナノ多孔質体およびそのナノ多孔質体の使用に関する。
請求項(抜粋):
複合体、さらに詳しくはナノダイヤモンドを含有しかつ所望の形態を有するナノ多孔質体の製造方法であって; 最大粒径が10nmのナノダイヤモンド粒子で、所望の形態を有する中間体を製造し; 前記中間体を、気体の1種または複数種の炭化水素の混合物に、その炭化水素の分解温度を超える温度で暴露させることからなり; 多孔度が50〜80容量%の中間体を製造し、次いでその中間体を1種もしくは複数種の炭化水素で熱処理中、前記中間体の質量が多くても50%しか増加させないことを特徴とする製造方法。
IPC (2件):
C04B 35/52 301
, H01G 9/058
FI (2件):
C04B 35/52 301 B
, H01G 9/00 301 A
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