特許

J-GLOBAL ID：200903004335041713

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堀内 道夫 ,  原山 洋一
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078574
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 実装時の熱応力の問題を解消し、多ピン化にも好適に対応でき、熱放散性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】 パッケージ基板10上に半導体チップ12が接合され、前記パッケージ基板10上の前記半導体チップ12の搭載部の周囲に電気的絶縁性を有する弾性体層14が被着形成され、該弾性体層14の外面に、一端部に外部接続端子18が接合され他端部が前記半導体チップ12に接続された配線パターン16aがベースフィルム22上に設けられた配線パターン付きフィルムが接合され、前記半導体チップ12がポッティングにより封止されて成る。

請求項（抜粋）：

パッケージ基板上に半導体チップが接合され、前記パッケージ基板上の前記半導体チップの搭載部の周囲に電気的絶縁性を有する弾性体層が被着形成され、該弾性体層の外面に、一端部に外部接続端子が接合され他端部が前記半導体チップに接続された配線パターンがベースフィルム上に設けられた配線パターン付きフィルムが接合され、前記半導体チップがポッティングにより封止されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  C08G 77/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M