特許

J-GLOBAL ID：200903004336642931

樹脂封止型半導体装置

発明者： 内田 健 ,  早瀬 修二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049178
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 樹脂組成物の硬化物によって封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂の低応力化を目的とする。【構成】 エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくとも1種からなる熱硬化性樹脂と、この熱硬化性樹脂の硬化剤と、低応力付与剤としての下記一般式で表されるポリシラン共重合体を配合する。【化1】(式中、R1 〜R4 は炭素数1〜24の一価の有機基を示し、かつR1 ,R2 の少なくとも一方は水酸基で置換されている。)【効果】 耐熱衝撃性、耐湿性の優れた樹脂封止型半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

(a) エポキシ樹脂及びマレイミド樹脂の少なくとも1種からなる熱硬化性樹脂(b) 前記熱硬化性樹脂の硬化剤(c) 下記化学式(1)及び(2)で表される構成単位を有するポリシラン共重合体を必須成分とする樹脂組成物の硬化物によって半導体素子が封止されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。【化1】(式中、R1 ,R2 は同一でも異なっていてもよく炭素数1〜24の一価の有機基を示し、かつR1 ,R2 の少なくとも一方は水酸基で置換されている。)【化2】(式中、R3 ,R4 は同一でも異なっていてもよく炭素数1〜24の一価の有機基を示す。)

IPC (4件)：

C08G 59/40 NKG ,  C08L 63/00 NKB ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31