特許
J-GLOBAL ID：200903004338865865
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097188
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 ベース抵抗を十分に低くし、かつ外部ベース領域のリーク電流を十分に低減することができ、より一層の性能向上をはかり得るコレクタUP構造のHBTの製造方法を提供すること。【構成】 コレクタUP構造のHBTの製造方法において、n+ -Si基板10上にn-Siエミッタ層11を成長形成したのち、エミッタ層の表面部に不純物を選択的にドーピングしてp+ -Si外部ベース領域12を形成し、次いでエミッタ層11と外部ベース領域12にまたがるようにp+ -SiGe内部ベース層13を成長形成し、次いで内部ベース層13上にn-Siコレクタ層14を成長形成し、次いで真性ベース領域以外を除いてコレクタ層14及び内部ベース層13の不要部分をエッチング除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板又は半導体層からなるエミッタ層の表面部に第2導電型の外部ベース領域を選択的に形成する工程と、前記エミッタ層及び外部ベース領域にまたがるように、これらよりも禁制帯幅の小さい第2導電型の半導体層をエピタキシャル成長して内部ベース層を形成する工程と、前記内部ベース層上に第1導電型の半導体層をエピタキシャル成長してコレクタ層を形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
