特許
J-GLOBAL ID：200903004340833334
プローブカード
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083742
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289657
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路を一括で電気検査できる大型のプローブカードを提供すること。【解決手段】 薄膜プローブ電極3は半導体集積回路の電極パッドに接触させる導体バンプ5と貫通導体2に引き出し線を介して接続された略円形状の接続パッド4とから構成されており、接続パッド4の外形寸法は、半導体集積回路毎に略同じであり、かつセラミック多層基板1の中心から離れるに伴って段階的に大きくなっている。
請求項（抜粋）：
セラミック多層基板の主面に、半導体ウエハに形成された複数の半導体集積回路の電極パッドに接触されて前記半導体集積回路の動作試験を行うための薄膜プローブ電極が複数形成され、かつ前記セラミック多層基板の内部に、前記薄膜プローブ電極に電気的に接続された貫通導体および該貫通導体に接続されて前記薄膜プローブ電極に動作試験用の信号を伝送する内部配線層が形成されたプローブカードであって、前記薄膜プローブ電極は前記半導体集積回路の電極パッドに接触させる導体バンプと前記貫通導体に引き出し線を介して接続された略円形状の接続パッドとから構成されており、前記接続パッドの外形寸法は、前記半導体集積回路毎に略同じであり、かつ前記セラミック多層基板の中心から離れるに伴って段階的に大きくなっていることを特徴とするプローブカード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 B
, G01R 1/073 F
2G011AA16
, 2G011AA21
, 2G011AB01
, 2G011AB06
, 2G011AC06
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD10
