特許
J-GLOBAL ID：200903004350610589
面発光半導体レーザ素子及びレーザアレイ
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152779
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347670
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光出力の熱飽和特性が良好で、高温の動作環境でも高出力で安定して動作する面発光半導体レーザ素子及びレーザアレイを提供する。【解決手段】 下部反射鏡42は、低屈折率膜として設けられたn-AlAs膜44と、高屈折率膜として設けられたn-Al0.2 Ga0.8 As膜46の25.5ペアからなる下部多層膜48と、下部多層膜48上に形成され、n-Al0.2Ga0.8 As膜46とn-Al0.9 Ga0.1 As膜50の10ペアからなる上部多層膜52とから構成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられ夫々が低屈折率層及び高屈折率層から成るペア層を複数形成した上部及び下部半導体多層膜反射鏡と、該半導体多層膜反射鏡の間に配設された活性層と、前記上部半導体多層膜反射鏡中に設けられた、特定半導体層の一部領域を選択的に酸化してなる電流狭窄層とを有し、電流注入により前記基板と垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザ素子において、前記下部半導体多層膜反射鏡が、第1の領域と、該第1の領域と前記活性層との間に配設される第2の領域とを備え、前記第1の領域中の前記低屈折率層がAlAs層からなり、前記第2の領域中の前記低屈折率層が、AlAsよりも酸化速度が遅い材料からなることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
審査官引用 (1件)
-
縦型空洞表面放射レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-014497
出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
前のページに戻る
