特許
J-GLOBAL ID：200903004351969629
読出し専用メモリとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139412
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334139
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 読出し専用メモリの集積度を高くし且つ記憶内容の決定からメモリの完成までの期間の短縮を図ることができるようにする。【構成】 第1層目のアルミニウム配線膜5上の第1の層間絶縁膜6にスルーホール7を形成し、各スルーホール7にダイオードを形成し、第1の層間絶縁膜6上に第2の層間絶縁膜9を形成し、該第2の層間絶縁膜9に記憶内容に基づいて形成したスルーホール10を介して上記ダイオードと接続される第2層目のアルミニウム配線膜11を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に配線膜が多数並設され、上記配線膜上に第1の層間絶縁膜が形成され、上記第1の層間絶縁膜に上記配線膜表面を露出させるスルーホールが各配線膜毎に多数所定間隔をおいて形成され、上記各スルーホール毎にダイオードが形成され、上記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜が形成され、上記第2の層間絶縁膜に記憶すべき内容に応じて選択されたダイオードを露出させるスルーホールが形成され、上記第2の層間絶縁膜上に、上から視て上記配線膜と交差し上記ダイオードを介して該配線膜と接続される金属配線膜が多数形成されてなることを特徴とする読出し専用メモリ
IPC (2件)：
H01L 27/10 431
, G11C 17/06
