特許
J-GLOBAL ID：200903004353313666
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297495
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザダイオードの出力効率の向上【構成】 活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、(11-20)面(a面)を主面とするサファイア基板と、サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0 ≦x ≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の<0001>(c軸)に平行にへき開して形成された鏡面とを有することを特徴とする。端面の平行度及び鏡面度が高くなる結果、レーザの出力効率が向上した。
請求項（抜粋）：
活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、(11-20)面(a面)を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、前記ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体((Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、前記多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の<0001>(c軸)に平行にへき開して形成された鏡面と、を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
IPC (2件)：
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