特許
J-GLOBAL ID：200903004356071914
プラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
塚原 孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228857
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067736
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 エッチング時における余分な反応生成物の発生を抑制して、被エッチング物の全表面における均一なエッチングを達成することができると共に、プラズマ放電の安定化を図ることができるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 ガス供給装置3からプラズマ発生器2の反応管20内にSF6ガスと体積比5%のO2ガスと体積比3%のArガスとを供給し、マイクロ波発振器21によるマイクロ波によってプラズマ放電させる。そして、生成した反応性ガスG′を噴射口20aからシリコンウエハ110の相対厚部に噴射して局部エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
ハロゲン系ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを生成するプラズマ発生過程と、上記イオン及びラジカルの噴射口を被エッチング物の所定の相対厚部に対応させた状態で、上記イオン及びラジカルを上記相対厚部に噴射させることにより、上記相対厚部を局部的にエッチングする噴射過程と、を具備するプラズマエッチング方法であって、上記ハロゲン系ガスに体積比が0.01%〜10%の範囲内の酸素系ガスを添加してプラズマ化する、ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 D
, C23F 4/00 E
, H01L 21/302 L
