特許

J-GLOBAL ID：200903004358253580

pin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路

発明者： 吉田 毅 ,  大友 祐輔
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-283144
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191633
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 空乏層化用電源として高い空乏層化用電圧が得られる電源を必要としないpin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路を提供すること。【解決手段】 SOI基板1上に形成されたpin型フォトダイオードにおいて、そのi型半導体領域5を覆うように空乏層化用電極21を形成し、i型半導体領域5を空乏化させる。

請求項（抜粋）：

SOI基板上に形成されたpin型フォトダイオードにおいて、そのi型半導体領域を覆うように空乏層化用電極を形成し、前記i型半導体領域を空乏化させることを特徴とするpin型半導体受光素子。