特許
J-GLOBAL ID：200903004359266481
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252446
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 自己発光型のカラー表示が可能な半導体装置を、1回の結晶成長により同一基板上に形成できる製造方法を提供する。【構成】 周期的な遮蔽構造2が形成されて成る基板1の上に、少なくとも第1導電型のクラッド層3を成長する工程と、遮蔽構造2に挟まれた領域毎に、活性層4を組成変調させて成長する工程と、第2導電型のクラッド層5を成長する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
周期的な遮蔽構造が形成されて成る基板の上に、少なくとも第1導電型のクラッド層を成長する工程と、上記遮蔽構造に挟まれた領域毎に、活性層を組成変調させて成長する工程と、第2導電型のクラッド層を成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01S 3/18
