特許

J-GLOBAL ID：200903004359767219

ハイブリットカードの製造方法

発明者： 長野 和美 ,  平岡 美津穂 ,  今滝 寛之 ,  田辺 浩 ,  小川 善広
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147037
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 磁気ストライプ位置の位置精度が高く、かつ光カード基板面の鏡面性に優れた高品位のハイブリットカードを簡単な工程で提供する。【構成】 磁気ストライプと光記録層を有するハイブリットカードの製造方法に於いて、該磁気ストライプと光記録用のプリフォーマットパターンを有する基板を注型成形、押出成形、熱プレス成形又はインジェクション成形で同時に一体化して形成するハイブリットカードの製造方法。

請求項（抜粋）：

磁気ストライプと光記録層を有するハイブリットカードの製造方法に於いて、該磁気ストライプと光記録用のプリフォーマットパターンを有する基板を注型成形で同時に一体化して形成する事を特徴とするハイブリットカードの製造方法。

IPC (4件)：

G11B 13/04 ,  B42D 15/10 501 ,  B42D 15/10 511 ,  G06K 19/06

FI (2件)：

G06K 19/00 B ,  G06K 19/00 C