特許

J-GLOBAL ID：200903004363588892

接着および剥離法

発明者： 大矢 和行 ,  田中 功
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401077
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203821
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハーを基板に保持してバックグラインドし、その後剥離するプロセス において、ソリが小さく、薄層化ウェハーの面精度が高く、粘着剤残りのない方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハーと保持基板を接着するに際し、接着媒体として熱可塑性樹脂フィルムを使用し、その接着温度は該熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点の+10〜+90°C、または融点のマイナス40〜+20°Cの温度で接着する。裏面研削後、温水で接着力を緩和し、保持基板から薄層化ウェハーを機械的に剥離する。【効果】 半導体ウェハーの薄層化において、薄層化後の面精度が良く、ソリが小さく、ウェハーへの粘着剤残りがなく、かつ工程中での割れの少ない薄層化ウェハーを得る事ができた。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハー(a) の回路面(A面)と保持基板(b) とを接着フィルム(c) で接着した後、半導体ウェハーの裏面(B面)を研削、研磨してウェハーを薄層化する方法において、接着フィルムとして熱可塑性樹脂フィルムを使用し、その接着温度は該熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点の+10〜+90°C、または融点のマイナス40〜+20°Cの温度にて接着する接着および剥離法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 622 G ,  H01L 21/304 622 J