特許
J-GLOBAL ID：200903004364396490
多層結晶構造及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武石 靖彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-506361
公開番号（公開出願番号）：特表平9-512385
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：
【要約】GaN、AlN及びInNを含む周期律表の第III 族から選ばれた窒化金属の多層結晶構造を製造する方法が提供される。この方法は第III 族金属(26)を平衡窒素ガス圧下において温度T1 まで加熱し、この間、第III 族窒化金属の安定性を維持することにより、その窒化金属からなる第一の結晶層を形成する工程を備えている。本方法はその後窒素ガス圧を低下させることにより、温度T1 以下の温度T2 において第一層の成長速度より遅い成長速度で、その第一層上に第二の結晶層を成長させることにより、第III 族窒化金属の第二の結晶層(28)を形成する工程を含んでいる。第二層(28)は新たな窒素ガス圧下において第一の層の少くとも一部の上に第二の層(28)を所定の厚さまで成長させるものである。
請求項（抜粋）：
周期律表の第III 族に属する窒化金属からなる多層結晶構造を製造するための方法であって、 (a)前記第III 族窒化金属の第一の結晶層を形成するためにその窒化金属の安定性を維持する平衡窒素ガス圧下において前記第III族金属(26)を温度T1 まで加熱する工程、及び (b)温度T1 以下の温度T2 において前記第一のゾーンの成長速度より遅い成長速度において第二の結晶層を前記第一のゾーン上に成長させるように前記窒素ガス圧を低下させ、これによって前記第III 族窒化金属の第二結晶層(28)を形成する工程であって、前記第二層(28)を前記第一の層の少くとも一部分の上に新たな窒素ガス圧下において所定の厚さまで成長させる工程からなることを特徴とする多層結晶構造の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/20
, C23C 16/18
, C30B 29/40 502
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/208
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/20
, C23C 16/18
, C30B 29/40 502 A
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01L 21/208 Z
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
