特許

J-GLOBAL ID：200903004370738700

フォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物

発明者： 加藤 丈佳
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037998
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218908
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 電離放射線(主として電子線)による描画において、感度、解像性、パターン形状に優れた実用的な、フォトマスク製造用レジストを提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル、フェノール化合物、および溶剤を含有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物であって、(1)アルカリ可溶性フェノール樹脂が、m-クレゾール10〜45重量%とp-クレゾール90〜55重量%との混合クレゾールを用いて製造されたものであり、(2)キノンジアジドスルホン酸エステルが、ポリフェノール化合物のフェノール性水酸基の75%以上が1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化されたものであるフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性フェノール樹脂、ポリフェノール化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル、フェノール化合物、および溶剤を含有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物であって、(1)アルカリ可溶性フェノール樹脂が、m-クレゾール10〜45重量%とp-クレゾール90〜55重量%との混合クレゾールを用いて製造されたものであり、(2)キノンジアジドスルホン酸エステルが、ポリフェノール化合物のフェノール性水酸基の75%以上が1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化されたものであることを特徴とするフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R