特許

J-GLOBAL ID：200903004370808326

シリコンウエハの処理方法

発明者： 川原博幸 ,  元浦久実 ,  植村訓之
出願人/特許権者： 小松電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144827
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体ウエハ中の欠陥を低減させデバイス歩留りを向上させる。【構成】酸素濃度1×1017〜2×1018atoms/cc、炭素濃度1×1016atoms/cc以下の未熱処理の半導体シリコンウエハを酸化雰囲気、または不活性雰囲気中で1000°C〜1300°Cの温度で0.5〜5時間熱処理する。あるいは、この熱処理後さらにウエハ主表面を鏡面研磨する。

請求項（抜粋）：

酸素濃度1×1017〜2×1018atoms/cc、炭素濃度1×1016atoms/cc以下の未熱処理の半導体シリコンウエハを酸化雰囲気中で1000°C〜1300°Cの温度で0.5〜5時間熱処理することを特徴とするシリコンウエハの処理方法。