特許

J-GLOBAL ID：200903004373194604

半導体装置

発明者： 橋本 潔和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196392
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020482
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的はメモリセルの書き込み特性の温度マージンを拡大することである。【構成】 書き込み電圧設定回路PG11において、出力電圧が温度に対して正の温度特性を持つように回路設計を行う。これにより、書き込み制御用MOSFETQW1の電流駆動能力が、温度により増減するのをある程度補うことができる。【効果】 メモリセルの書き込み時のドレイン電圧VD(ライト)の値が、温度が変化しても、常温の場合とほぼ同一にすることができるため、メモリセルの書き込み特性の温度マージンが、従来技術の場合に比べ大きくなる。

請求項（抜粋）：

ディジット線と、前記ディジット線にドレインが各々接続された複数の電気的に書き込み可能なメモリセルと、前記メモリセルの各々のゲートに接続されたXアドレス線と、ソースが前記ディジット線に、ゲートがYアドレス線に接続されたYアドレス選択用MOSFETと、データ入力端子と、高電圧供給端を有し、前記データ入力端子に入力されたデータの“0”,“1”により出力に高電圧が発生するか否かが制御されるデータ入力バッファと、出力が前記高電圧供給端に接続された書き込み電圧設定回路と、ドレインが書き込み電圧供給端子に、ゲートが前記データ入力バッファの出力に、ソースが前記Yアドレス選択用MOSFETのドレインに接続された書き込み制御用MOSFETとを含む半導体装置において、前記書き込み電圧設定回路は、出力電圧が温度に対して正の温度係数を持つように制御されてなることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-094097
  
• 特開昭58-155594
  
• 特開平1-263994