半導体記憶装置およびその記憶データ書き込み・読み出し方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-133424
公開番号（公開出願番号）：特開2003-331596
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】初期設定データから変化した異常なデータを保持せず、正常なデータのみ保持し、システムの信頼性を向上することができる半導体記憶装置およびその記憶データ書き込み・読み出し方法を提供する。【解決手段】任意のビットデータを記憶させる時に、そのデータを同一内容で、2 回以上の任意の偶数のn回記憶させるとともに、n-1 回目とn回目のデータの極性を反転させて記憶する不揮発性半導体素子2と、その記憶データの読み出し時に、n-1 回目とn回目の記憶データを比較して記憶データが反転しているとき信号を出力するデータ比較回路7と、データ比較回路7の信号を入力したとき、読み出した記憶データを保持するデータラッチ回路3とを備えている。

請求項（抜粋）：

任意のビットデータを記憶させる時に、そのデータを同一内容で、2 回以上の任意の偶数のn回記憶させるとともに、n-1 回目とn回目のデータの極性を反転させて記憶する不揮発性半導体素子と、この不揮発性半導体素子に記憶された記憶データの読み出し時に、前記n-1回目と前記n回目の前記記憶データを比較して前記記憶データが反転しているとき前記記憶データを保持するための信号を出力するデータ比較回路と、前記データ比較回路の前記信号を入力したとき、読み出した前記記憶データを保持するデータラッチ回路とを備えた半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 651 , G01R 31/28 , G01R 31/319

FI (4件)：

G11C 29/00 651 Z , G01R 31/28 R , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V

Fターム (12件)：

2G132AA09 , 2G132AC02 , 2G132AD01 , 2G132AG08 , 2G132AH04 , 2G132AK07 , 2G132AK09 , 2G132AL31 , 5L106DD03 , 5L106DD12 , 5L106DD25 , 5L106GG05

引用特許：

審査官引用 (8件)

データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-232827 出願人：株式会社鷺宮製作所
特開昭61-243551
特開昭61-243551

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