特許

J-GLOBAL ID：200903004376038255

ITO焼結体

発明者： 隈 公貴 ,  吉村 了治 ,  山本 和明 ,  小川 展弘 ,  毛利 隆
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241396
公開番号（公開出願番号）：特開平6-064959
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：

【要約】【構成】 焼結密度が90〜100%、焼結粒径が1〜20μmで、(In0.6Sn0.4)2O3の量が10%以下であるITO焼結体およびこれを用いたスパッタリングターゲット。【効果】 スパッタレートが早く、ノジュールの発生、割れを防止でき、更に低温基板にきわめて低抵抗で透明な導電膜が得られる。

請求項（抜粋）：

焼結密度が90%以上100%以下、焼結粒径が1μm以上20μm以下、かつ(In0.6Sn0.4)2O3の量が10%以下であるITO焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34