特許
J-GLOBAL ID：200903004379285687
露光用マスク及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-157324
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】上記露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に、少なくとも1箇所に白欠陥が存在する転写パターンが形成されている。少なくとも一部が転写パターンの白欠陥と重なる凹部が、基板に形成されている。凹部の底面の少なくとも一部の領域上に、露光光を遮光する材料で形成された修正膜が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも1箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、
前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、
前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜と
を有する露光用マスク。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
G03F1/08 W
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502P
