特許
J-GLOBAL ID：200903004381906893
マイクロ電子素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-526614
公開番号（公開出願番号）：特表平9-512135
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】シリコンMOS技術における素子は、ゲート領域(10)において、ゲート電圧が加えられた際に、有利には、量子ワイヤまたは量子ドットとして適している反転領域が形成される縁および/または尖端を有している。表面構造は殊に、シリコンから成るピラミッド(6)として局所的な分子ビームエピタキシーによって製造される。
請求項（抜粋）：
少なくとも主面の領域においてシリコンを有しかつ該主面の領域において少なくとも1つの表面構造(6)を有しているサブストレート(1)を備え、前記表面構造は、交わる領域において交差する少なくとも2つの面を有しており、前記表面構造(6)を少なくとも前記交差する面の領域において被覆するゲート誘電体(8)を備え、前記ゲート誘電体(8)の表面に配置されているゲート電極(10)を備え、前記主面の領域に配置されている少なくとも2つの導電性の領域(2)を備え、該導電性の領域は前記サブストレート(1)に対して隔離されておりかつ該2つの導電性の領域の間で、前記ゲート電極(10)に制御電圧を加えることによって、反転層を介する電流を制御可能であり、該反転層は、前記ゲート電極(10)に制御電圧が加えられた際に、前記交差する面の断面領域に沿って形成されることを特徴とするマイクロ電子素子。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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