太陽電池の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181341
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体太陽電池を高効率化し、生産性よく製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に形成されたpn接合を有するII-VI族化合物半導体太陽電池において、該基板上に硫化カドミウム半導体膜を形成した後、同半導体膜の表面に紫外光を照射した後、テルル化カドミウム半導体膜を形成することにより、高効率の太陽電池を生産性良く製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたpn接合を有するII-VI族化合物半導体太陽電池において、該基板上に硫化カドミウム半導体膜を形成した後、同半導体膜の表面に紫外光を照射し、次いで、テルル化カドミウム半導体膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-160222 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭64-055385
特開昭64-055385

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