特許
J-GLOBAL ID：200903004385836326
電磁界解析プログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-170895
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171385
出願日： 2007年06月28日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】効率的に電磁界解析を行なう。【解決手段】IAS解析では、変換面外部には構造物などを置かないと仮定して、変換面内部、変換面上、変換面外部の近傍における電磁界分布u0を求める。EAS解析では、変換面外部には構造物などが存在するとして、全電磁界分布uを求める。この際、閉曲面内部については、閉曲面上の、電磁界分布u0と電磁界分布uとの差分の電磁界分布eを波源として電磁界分布を求め、閉曲面外部については、閉曲面上の、電磁界分布u0と電磁界分布eとを合成した電磁界分布を波源として電磁界分布uを求める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
演算処理部を有するコンピュータに電磁界解析を実行させるための電磁界解析プログラムであって、
前記演算処理部は、電磁界の波源を含む閉曲面で囲まれた第1の解析空間を第1のセルサイズで分割して、前記閉曲面内部、前記閉曲面上、および前記閉曲面外部の近傍における第1の電磁界分布を求める第1の電磁界解析ステップと、
前記演算処理部は、前記第1の解析空間を含む第2の解析空間を前記第1のセルサイズより大きな第2のセルサイズで分割して、前記閉曲面内部、前記閉曲面上における第2の電磁界分布および前記閉曲面外部における第3の電磁界分布を求める第2の電磁界解析ステップとを備え、
前記第2の電磁界解析ステップは、前記閉曲面内部および閉曲面上については、前記閉曲面外部の近傍の前記第3の電磁界分布と前記第1の電磁界分布との差分の電磁界分布を波源とした第2の電磁界分布を求め、前記閉曲面外部については、前記閉曲面上の前記第1の電磁界分布と前記第2の電磁界分布とを合成した電磁界分布を波源とした第3の電磁界分布を求める、電磁界解析をコンピュータに実行させるための電磁界解析プログラム。
IPC (3件)：
G06F 17/50
, G06F 19/00
, G01R 29/08
G06F17/50 612H
, G06F19/00 110
, G01R29/08 Z
