特許
J-GLOBAL ID：200903004396221048
窒化シリコン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-173633
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】ピンホールやウィークスポット等の欠陥がほとんどない信頼性の高い窒化シリコン膜を得る。【構成】プラズマCVD法による基板上への窒化シリコン膜の形成において、基板温度が十分な絶縁耐圧をもつ窒化シリコンの生成温度(250〜270°C)に達する前に、基板温度100〜150°Cで窒化シリコン膜の成膜を開始することにより、成膜初期には、基板上に絶縁耐圧は低いがピンホールやウィークスポット等の欠陥がない低温生成窒化シリコン層を堆積させ、その後、速やかに基板温度を前記生成温度に昇温させて、前記低温生成窒化シリコン層の上に厚く高温生成窒化シリコン層を堆積させる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法による基板上への窒化シリコン膜の形成において、基板温度が十分な絶縁耐圧をもつ窒化シリコンの生成温度に達する前に前記窒化シリコン膜の成膜を開始し、その後、基板温度を前記生成温度に昇温させることを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/34
, C23C 16/42
, C23C 16/50
, H01L 21/318
