特許

J-GLOBAL ID：200903004396641110

低温焼成セラミック多層配線基板への回路形成方法

発明者： 中井 恭一 ,  江崎 徹 ,  浅海 順治 ,  菅野 修
出願人/特許権者： 日本セメント株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142185
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315754
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 簡易な方法で、低温焼成セラミック多層配線基板上に、Cu導体を高密度に回路形成される方法を提供すること。【構成】 Ag系内部導体を有する低温焼成セラミック多層配線基板の表面に、Cuペーストをスクリーン印刷し、乾燥し、非酸化雰囲気において600°C〜750°Cで焼成したのち、フォトリソグラフィ技術を用いてCu導体回路のパターニングを行う低温焼成セラミック多層配線基板の回路形成方法。

請求項（抜粋）：

Ag系内部導体を有する低温焼成セラミック多層配線基板の表面にCu導体回路を形成する方法において、該表面にCuペーストをスクリーン印刷し、乾燥し、非酸化雰囲気において600°C〜750°Cで焼成したのち、フォトリソグラフィ技術を用いてCu導体回路のパターニングを行なうことを特徴とする低温焼成セラミック多層配線基板の回路形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-265796
  
• 特開昭61-147597
  
• 特開平1-236698
  
• 特開平1-262695