特許

J-GLOBAL ID：200903004397269664

半導体記憶装置

発明者： 山本 誠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150677
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 メモリ容量の増大にかかわらず、チップ一括消去時の消去電流を一定に保持することができる4Mフラッシュメモリ110を得る。【構成】 フローティングゲートを有する絶縁ゲート型メモリトランジスタを複数個アレイ状に配置してなるメモリセルアレイ101を、4つのブロック101a〜101dに分割した構造とし、上記メモリトランジスタへの消去電圧の印加を上記各ブロック単位ごとに順次行う消去電圧印加手段M10を備え、上記消去電圧の印加によりチップ一括消去を行うようにした。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートを有する絶縁ゲート型メモリトランジスタを複数個アレイ状に配置してなるメモリセルアレイを有し、全てのメモリトランジスタへの消去電圧の印加により各メモリトランジスタの記憶情報を一括消去可能に構成した不揮発性半導体記憶装置において、上記メモリセルアレイを複数のブロックに分割した構造とし、上記メモリトランジスタへの消去電圧の印加を上記各ブロック単位ごとに順次行う消去電圧印加手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。