特許

J-GLOBAL ID：200903004399979901

研磨方法

発明者： 久保 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036020
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235965
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】埋め込み配線やプラグ等を形成する際のCMP工程において、エロージョンやディッシングの発生を防止すること。【解決手段】シリコン基板1上に設けられたシリコン酸化膜3に凹部を形成し、バリアメタル膜4、銅めっき膜5をこの順で成膜する。次いでCMP研磨により平坦化を行う。一定時間研磨を行いバリアメタル膜4の露出した時点でフッ酸含有液を供給する。フッ酸含有液としては、バッファードフッ酸等を用いる。

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の所定箇所に凹部を設け、全面にバリアメタル膜、および金属膜をこの順で形成した後、該ウエハ表面に研磨パッドを荷重をかけて接触させ、ウエハと研磨パッドの少なくとも一方を回転させてウエハ表面を平坦化する研磨方法において、前記ウエハ表面に対し、研磨開始から所定時間経過前までの間、第一の研磨液を供給し、所定時間経過後、フッ酸を含有する第二の研磨液を供給することを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 21/88 K

Fターム (21件)：

5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-109332
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326932   出願人：日本電気株式会社