過電圧保護回路

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332207
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタ製造プロセスによって集積化が可能な過電圧保護回路を提供すること。【解決手段】サージ保護回路2は、MOSトランジスタMZ1、MZ2のBVDS(ソース・ドレイン間ブレークダウン電圧)により電源受給端子VCC に印加されたサージ電圧をクランプし、サージエネルギを吸収する。過電圧検出回路3は、2個のMOSトランジスタMD1、MD2のVDS(ソース・ドレイン間電圧)を基準電圧として、これによりサージ保護回路2から供給された直流電圧を監視し、過電圧を検出し、MOSトランジスタM2を遮断して負荷F1を保護する。【効果】ツエナーダイオード用いる筆9がないので、MOSトランジスタプロセスにより、負荷F1も含めて同一チップ上に過電圧保護回路1の集積化が可能になる。

請求項（抜粋）：

電源受給端子の電圧を基準電圧と比較し、過電圧になったことを検出する過電圧検出回路と、前記電源受給端子と負荷用電源端子の間に接続され、前記過電圧検出回路の出力信号に応じてオンオフ制御されるスイッチング素子とを備えた過電圧保護回路において、前記基準電圧が、MOSトランジスタのソース・ドレイン間電圧により与えられるように構成されていることを特徴とする過電圧保護回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/08 102 F

Fターム (25件)：

5F038AR01 , 5F038AR28 , 5F038AZ10 , 5F038BB03 , 5F038BB05 , 5F038BE09 , 5F038BH02 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038DF01 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF12 , 5F038DF14 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AB01 , 5F048AB02 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048CC01 , 5F048CC09 , 5F048CC15 , 5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (3件)

過電圧保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-120086 出願人：日本電気株式会社
集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-065736 出願人：シャープ株式会社
抵抗体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-185875 出願人：ソニー株式会社

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