特許

J-GLOBAL ID：200903004404926021

GaAlAs発光素子の製造方法

発明者： 池田 均 ,  鈴木 金吾
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296723
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151959
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 LEDペレットの発光領域から発光した光の外部取り出し効率を大きくした高発光出力のGaAlAs発光素子の製造方法を提供する。【構成】 GaAlAs発光素子用ペレットの側面に対して加工歪のない平坦な表面を形成する処理を施した後、該側面を微細な凹凸を有する面となす処理を行う。

請求項（抜粋）：

pn接合を有するGaAlAs発光素子用ペレットの側面に対して加工歪みのない平坦な表面を形成する処理を施した後、該側面を微細な凹凸を有する面となす処理を行うことを特徴とするGaAlAs発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/78

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-175776
  
• 特開平3-066181
  
• 特開昭50-155184