半導体イオンセンサの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158336
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350387
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】製造を容易にして生産性を高めた半導体イオンセンサの製造方法を提供する。【解決手段】基体1に配設されたセンサチップ2を封止樹脂5で封止し、封止樹脂5におけるセンサチップ2のイオン感応部2aを封止する部位を、エキシマレーザーにより除去してイオン感応部2aを露出させる。エキシマレーザーにより封止樹脂5を除去することによってセンサチップ2への熱的なダメージを防止することができるとともに、従来例のようにイオン感応部2aに封止樹脂5が流れ込まないように環境を整えたり特別な設備を用いたりすることなく、センサチップ2のイオン感応部2a以外の部位を封止樹脂5で容易に封止することができ、生産性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

主表面側にイオン感応部が形成された半導体基板からなるセンサチップと、センサチップが配設される基体とを備え、センサチップの主表面側におけるイオン感応部以外の部位を封止樹脂で封止してなる半導体イオンセンサの製造方法であって、基体に配設されたセンサチップを封止樹脂で封止し、封止樹脂におけるセンサチップのイオン感応部を封止している部位を、エキシマレーザーにより除去してイオン感応部を露出させることを特徴とする半導体イオンセンサの製造方法。

IPC (3件)：

G01N 27/414 , G01N 27/416 , H01L 23/28

FI (5件)：

H01L 23/28 J , G01N 27/30 301 W , G01N 27/30 301 U , G01N 27/30 301 V , G01N 27/46 346

Fターム (3件)：

4M109AA01 , 4M109DA04 , 4M109DA06

前のページに戻る