特許
J-GLOBAL ID：200903004410490200
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129218
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】基板上の導電膜パターン以外に不純物イオンがドープされることを防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板1上に導電膜パターン3aを形成する工程、前記導電膜パターン3a上を含む全面に絶縁膜(5,7)を被着形成する工程、次に前記絶縁膜上に平坦化用材料8を積層形成した後、エッチバックにより前記導電膜を露出する工程、及び前記導電膜に不純物をドープする工程を含む。
請求項（抜粋）：
基板上に導電膜パターンを形成する工程、前記導電膜パターン上を含む全面に絶縁膜を被着形成する工程、次に、前記絶縁膜上に平坦化用材料を積層形成した後、エッチバックにより前記導電膜を露出する工程、及び前記導電膜に不純物をドープする工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28
, H01L 21/265
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
, H01L 27/04
H01L 21/265 P
, H01L 21/88 H
