特許
J-GLOBAL ID：200903004414638504

SOIウエーハの結晶欠陥評価方法およびエッチング液

発明者：
佐藤 英樹

佐藤 英樹 について

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竹中 卓夫

竹中 卓夫 について

, 
篠宮 勝

篠宮 勝 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-020934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235350
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて、優れた欠陥検出能力でSOIウエーハの結晶欠陥を評価することのできる結晶欠陥評価方法、及びその結晶欠陥評価方法に用いられるエッチング液を提供する。【解決手段】SOIウエーハをエッチング液中に浸漬してSOI層のエッチングを行ない、該SOI層に形成されたエッチピットを観察することによりSOIウエーハの結晶欠陥を評価する方法であって、前記エッチング液として、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合液中にヨウ素又はヨウ化物を含有し、前記硝酸のエッチング液中の容量比が最大のものであり、かつ前記SOI層のエッチレートが100nm/min以下となるように調整したものを用いることを特徴とするSOIウエーハの結晶欠陥評価方法。【選択図】 なし
請求項１：
SOIウエーハをエッチング液中に浸漬してSOI層のエッチングを行ない、該SOI層に形成されたエッチピットを観察することによりSOIウエーハの結晶欠陥を評価する方法であって、前記エッチング液として、フッ酸、硝酸、酢酸及び水の混合液中にヨウ素又はヨウ化物を含有し、前記硝酸のエッチング液中の容量比が最大のものであり、かつ前記SOI層のエッチレートが100nm/min以下となるように調整したものを用いることを特徴とするSOIウエーハの結晶欠陥評価方法。
IPC (3件)：
H01L21/306 ,  H01L21/66 ,  H01L27/12
FI (3件)：
H01L21/306 B ,  H01L21/66 N ,  H01L27/12 T
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106BA10 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD27 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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