特許
J-GLOBAL ID:200903004416909254

多数個取り配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-122076
公開番号(公開出願番号):特開2003-318314
出願日: 2002年04月24日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】 セラミック母基板に配列された各配線基板領域の独立メタライズ配線導体に電解めっき法によりめっき金属層を被着させることが可能な多数個取り配線基板を提供すること。【解決手段】 セラミック母基板1の中央部に、各々が上面に電子部品を収容するための凹部2aを有する配線基板領域2を縦横の並びに配列形成するとともに、各配線基板領域2の上面に互いに電気的に接続された封止用メタライズ層7および各配線基板領域2の凹部2a内から外周辺にかけて、各配線基板領域2内において封止用メタライズ層7に非接続の独立メタライズ配線導体6c、6dを被着形成して成る多数個取り配線基板であって、独立メタライズ配線導体6c、6dは、隣接する配線基板領域2の封止用メタライズ層7に、接続導体11a、11bにより電気的に接続されている。
請求項(抜粋):
複数の絶縁層を積層して成るセラミック母基板の中央部に、各々が上面に電子部品を収容するための凹部を有する略四角形状の多数の配線基板領域を縦横の並びに配列形成するとともに、前記各配線基板領域の上面に互いに電気的に接続されて前記凹部をそれぞれ取り囲む枠状の封止用メタライズ層および前記各配線基板領域の凹部内から外周辺にかけて、前記各配線基板領域内において前記封止用メタライズ層に非接続の独立メタライズ配線導体を被着形成して成る多数個取り配線基板であって、前記独立メタライズ配線導体は、該独立メタライズ配線導体が被着形成された配線基板領域に隣接する配線基板領域の前記封止用メタライズ層に、前記セラミック母基板の内部を前記独立メタライズ配線導体から前記隣接する配線基板領域の封止用メタライズ層まで延びる接続導体により電気的に接続されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
IPC (4件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/08 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/00
FI (4件):
H01L 23/08 C ,  H05K 1/02 G ,  H05K 3/00 X ,  H01L 23/12 L
Fターム (8件):
5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB03 ,  5E338BB19 ,  5E338BB31 ,  5E338BB47 ,  5E338CD23 ,  5E338EE32
引用特許:
審査官引用 (2件)

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