半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069774
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094600
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】良好な耐リーク特性および耐圧特性を有するキャパシタを得る。【構成】シリコン基板31の表面にはソース/ドレイン領域25を揺するトランスファゲートトランジスタ30が形成されている。このソース/ドレイン領域25と、層間絶縁膜41に形成されたコンタクトホール41aを埋込むプラグ層43aを通じて接続されるように下部電極層1が形成されている。少なくとも下部電極層1の側壁面を露出するように下部電極層上には強誘電体層を含むキャパシタ絶縁層3が形成されている。下部電極層1の側壁面を含む露出表面を覆うように層間絶縁膜41の上部表面上にサイドウォールスペーサ形状を有する側壁絶縁膜11aが形成されている。この側壁絶縁膜11aとキャパシタ絶縁層3とを介在して下部電極層1を覆うように上部電極層5が形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された導電領域と、前記導電領域を覆うように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつその上部表面から前記導電領域の表面に達する孔を有する絶縁層と、前記孔を通じて前記導電領域に電気的に接続され、かつ前記絶縁層の上部表面上に形成された下部電極層と、高誘電率材料を含み、前記下部電極層上に形成されたキャパシタ絶縁層と、少なくとも前記下部電極層の側壁を覆うように形成された側壁絶縁層と、前記キャパシタ絶縁層と前記側壁絶縁層との上に前記下部電極層を覆うように形成された上部電極層とを備えた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J , H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C

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