特許
J-GLOBAL ID：200903004417375105
ガイド溝付き光導波路の製作方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264832
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 調心作業を必要とせず、コアとガイド溝の相対位置の精度が高い光導波路を製作できるようにする。【構成】 シリコン基板1の表面に光導波路のバッファ層2を、その上にコア層3を形成し、同コア層3の表面にコアパターンとガイド溝パターンとが表示されているフォトマスクを重ね、それらのパターンをコア層3に転写してコア層3の上に同パターンと同じ形状のマスク材4を形成し、同シリコン基板1のうちマスク材4でマスクされない部分をエッチングしてエッチングされない部分にガイド溝縁5とコア6とを形成し、同ガイド溝縁5の上を溝縁用マスク材7でマスクしてマスクしてコア6の回りにクラッド層8を形成し、シリコン異方性エッチングによりシリコン基板1のうち隣合うガイド溝縁5の内側にガイド溝9を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板1の表面に光導波路のバッファ層2を、その上にコア層3を形成し、同コア層3の表面にコアパターンとガイド溝パターンとが表示されているフォトマスクを重ね、それらのパターンをコア層3に転写してコア層3の上に同パターンと同じ形状のマスク材4を形成し、同シリコン基板1のうちマスク材4でマスクされない部分をエッチングしてエッチングされない部分にガイド溝縁5とコア6とを形成し、同ガイド溝縁5の上を溝縁用マスク材7でマスクしてマスクしてコア6の回りにクラッド層8を形成し、シリコン異方性エッチングによりシリコン基板1のうち隣合うガイド溝縁5の内側にガイド溝9を形成することを特徴とするガイド溝付き光導波路の製作方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
