特許

J-GLOBAL ID：200903004427078184

量子構造の製造方法

発明者： ウエストウオーター ジョナサン ,  ゴサイン ダラム パル ,  山内 一志 ,  碓井 節夫 ,  ジョージ ジェイ コリンズ ,  益田 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186245
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 近接して規則正しく配列した均一な大きさを有する高密度の量子構造を簡便に形成する量子構造の製造方法を提供する。【構成】 凹凸構造4aを有する基板4上にシリコン膜6を形成する工程と、熱処理によりシリコン膜6を溶融し、凹凸構造4aを有する基板4の凹部4bの上に選択的にボール状シリコン5を形成する工程とを採る構成である。

請求項（抜粋）：

凹凸構造を有する基板上にシリコン膜を形成する工程と、熱処理により上記シリコン膜を溶融し上記凹凸構造を有する基板の凹部上に選択的にボール状シリコンを形成する工程とを有する量子構造の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/205